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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • RA30H2127M-101图
  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海原装现货,专营模块
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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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  • 封装SMD 
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  • 长期供应原装现货实单可谈
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 原厂进口正品部分现货
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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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RA30H2127M-101产品参数
型号:RA30H2127M-101
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
特性阻抗:50 Ω
构造:MODULE
最大输入功率 (CW):20 dBm
功能数量:1
最大工作频率:270 MHz
最小工作频率:210 MHz
最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:FLNG,2.4"H.SPACE
电源:5,12.5 V
射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
技术:HYBRID
最大电压驻波比:3
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