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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RFP3055LE的概述

RFP3055LE芯片的概述与应用 一、概述 RFP3055LE是一款广泛应用于功率放大器、开关电源及驱动电路的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该芯片以其卓越的性能特征、良好的热稳定性和高效能输出被广泛用于各种电子设备中。RFP3055LE属于N沟道MOSFET,主要是为高功率...
配单直通车
RFP3055LE产品参数
型号:RFP3055LE
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.19
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):11 A
最大漏极电流 (ID):11 A
最大漏源导通电阻:0.107 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):38 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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