RFP4N100产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB

详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4.3A（Tc） TO-220AB

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：120nC @ 20V

FET 功能：-

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50