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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    产品型号RGF1B/19的Datasheet PDF文件预览

    RGF1A thru RGF1M  
    Vishay Semiconductors  
    formerly General Semiconductor  
    Surface Mount Glass Passivated Junction  
    Fast Switching Rectifier  
    Reverse Voltage 50 to 1000V  
    Forward Current 1.0A  
    DO-214BA (GF1)  
    ®
    0.066 (1.68)  
    0.040 (1.02)  
    Mounting Pad Layout  
    0.066 MIN.  
    (1.68 MIN.)  
    0.094 MAX.  
    (2.38 MAX.)  
    Dimensions in inches and (millimeters)  
    0.187 (4.75)  
    0.167 (4.24)  
    Glass-plastic encapsulation technique is covered by Patent  
    No. 3,996,602, brazed-lead assembly by Patent No.  
    3,930,306 and lead forming by Patent No. 5,151,846  
    0.015 (0.38)  
    0.052 MIN.  
    (1.32 MIN.)  
    0.0065 (0.17)  
    0.220  
    (5.58) REF  
    0.108 (2.74)  
    0.118 (3.00)  
    0.100 (2.54)  
    0.098 (2.49)  
    Features  
    0.114 (2.90)  
    • Plastic package has Underwriters Laboratories  
    Flammability Classification 94V-0  
    0.006 (0.152) TYP.  
    0.060 (1.52)  
    0.030 (0.76)  
    0.094 (2.39)  
    0.226 (5.74)  
    0.196 (4.98)  
    • Ideal for surface mount automotive applications  
    • High temperature metallurgically bonded construction  
    • Cavity-free glass passivated junction  
    Mechanical Data  
    •
    Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500  
    Case: JEDEC DO-214BA, molded plastic over glass body  
    Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
    Method 2026  
    • Built-in strain relief • Easy pick and place  
    • Fast switching for high efficiency  
    Polarity: Color band denotes cathode end  
    • High temperature soldering guaranteed:  
    450°C/5 seconds at terminals.  
    Mounting Position: Any  
    Weight: 0.0048 oz, 0.12 g  
    Packaging codes/options:  
    • Complete device submersible temperature of 265°C for  
    10 seconds in solder bath  
    19/6.5K per 13” Reel (12mm Tape)  
    17/1.5K per 7” Reel (12mm Tape)  
    Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
    Parameter  
    Symbol RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M Unit  
    Device marking code  
    RA  
    50  
    35  
    50  
    RB  
    100  
    70  
    RD  
    200  
    140  
    200  
    RG  
    400  
    280  
    400  
    1.0  
    RJ  
    RK  
    800 1000  
    560 700  
    800 1000  
    RM  
    Maximum repetitive peak reverse voltage  
    Maximum RMS voltage  
    VRRM  
    VRMS  
    VDC  
    600  
    420  
    600  
    V
    V
    V
    A
    Maximum DC blocking voltage  
    Maximum average forward rectified current at TL = 120°C  
    100  
    IF(AV)  
    Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
    superimposed on rated load (JEDEC Method)  
    IFSM  
    30  
    50  
    A
    µA  
    Max. full load reverse current, full cycle average TA = 55°C IR(AV)  
    Typical thermal resistance(1)  
    RΘJA  
    RΘJL  
    80  
    28  
    °C/W  
    °C  
    Operating junction and storage temperature range  
    TJ,TSTG  
    –65 to +175  
    Electrical Characteristics(TJ = 25°C unless otherwise noted)  
    Parameter  
    Symbol RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M Unit  
    Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
    VF  
    1.30  
    V
    Maximum DC reverse current  
    at rated DC blocking voltage  
    TA = 25°C  
    TA = 125°C  
    5.0  
    100  
    IR  
    µA  
    Typical reverse recovery time at  
    IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25 A  
    trr  
    150  
    250  
    500  
    ns  
    Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
    CJ  
    8.5  
    pF  
    Note: (1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead, P.C.B. mounted on 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas  
    Document Number 88697  
    08-Feb-02  
    www.vishay.com  
    1
    RGF1A thru RGF1M  
    Vishay Semiconductors  
    formerly General Semiconductor  
    Ratings and  
    Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)  
    Fig. 1 – Forward Current  
    Derating Curve  
    Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive  
    Peak Forward Surge Current  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    TJ = TJ max.  
    8.3ms Single Half Sine-Wave  
    (JEDEC Method)  
    P.C.B. Mounted on  
    0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm)  
    Copper Pad Areas  
    1
    0.5  
    60 HZ  
    Resistive or  
    Inductive Load  
    0
    0
    1
    10  
    100  
    100  
    110  
    120  
    130  
    140  
    150  
    160  
    175  
    Lead Temperature (°C)  
    Number of Cycles at 60 HZ  
    Fig. 3 – Typical Instantaneous  
    Forward Characteristics  
    Fig. 4 – Typical Reverse  
    Characteristics  
    10  
    10  
    1
    TJ = 125°C  
    1
    TJ = 25°C  
    Pulse Width = 300µs  
    1% Duty Cycle  
    TJ = 100°C  
    0.1  
    0.1  
    TJ = 25°C  
    0.01  
    0.01  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1.0  
    1.2  
    1.4  
    1.6  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    Instantaneous Forward Voltage (V)  
    Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
    Fig. 6 – Typical Transient  
    Thermal Impedance  
    Fig. 5 – Typical Junction  
    Capacitance  
    100  
    10  
    1
    100  
    10  
    T = 25°C  
    Mounted on  
    0.2 x 0.2" (5. x 7mm)  
    Copper Pad Areas  
    J
    f = 1.0MHZ  
    Vsig = 50mVp-p  
    1
    0.1  
    0.01  
    1
    10  
    100  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    Reverse Voltage (V)  
    t, Pulse Duration (sec.)  
    www.vishay.com  
    2
    Document Number 88697  
    08-Feb-02  
    配单直通车
    RGF1B/17产品参数
    型号:RGF1B/17
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：DO-214BA
    包装说明：R-PDSO-C2
    针数：2
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.41
    其他特性：PATENTED DEVICE, METALLURGICALLY BONDED
    配置：SINGLE
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    JEDEC-95代码：DO-214BA
    JESD-30 代码：R-PDSO-C2
    JESD-609代码：e0
    元件数量：1
    端子数量：2
    最大输出电流：1 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：100 V
    最大反向恢复时间：0.15 µs
    表面贴装：YES
    端子面层：TIN LEAD
    端子形式：C BEND
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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    • 封装
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