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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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配单直通车
RJH60C9DPD-00-J2产品参数
型号:RJH60C9DPD-00-J2
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:30 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):290 ns
标称接通时间 (ton):75 ns
Base Number Matches:1
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