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RJK0332DPB-01#J0产品参数

品牌:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta) 45W(Tc) LFPAK

制造商:Renesas Electronics America

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 17.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2180pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:LFPAK

封装/外壳:SC-100,SOT-669

标准包装:2,500

其它名称:RJK0332DPB-01#J0TR

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