RJK0332DPB-01#J0产品参数

品牌：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK

制造商：Renesas Electronics America

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：35A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 17.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2180pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：2,500

其它名称：RJK0332DPB-01#J0TR