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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 厂家RENESAS-瑞萨 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 厂家Renesas Electronics America 
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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 厂家RENESAS 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:11元
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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RJK0332DPB-01#J0的概述

芯片RJK0332DPB-01J0的概述 RJK0332DPB-01#J0是一种高效的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),由日本的东芝(Toshiba)公司开发。该器件主要应用于电源管理、开关电源和逆变器等,能够在较高的功率条件下工作,从而满足现代电子设备对效率和性能的严格要求。由于其优异的导...
配单直通车
RJK0332DPB-01-J0产品参数
型号:RJK0332DPB-01-J0
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.35
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):35 A
最大漏极电流 (ID):35 A
最大漏源导通电阻:0.007 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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