RJK0346DPA-01#J0B产品参数

品牌：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK

制造商：Renesas Electronics America

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：65A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：49nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7650pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：65W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-WPAK

封装/外壳：8-PowerWDFN

标准包装：2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）