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RJK5012DPE-00#J3产品参数

品牌:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK

制造商:Renesas Electronics America

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):620 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):29nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):100W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:4-LDPAK

封装/外壳:SC-83

标准包装:1,000

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