RJK5012DPE-00#J3产品参数

品牌：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK

制造商：Renesas Electronics America

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：4-LDPAK

封装/外壳：SC-83

标准包装：1,000