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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市恒嘉威智能科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RJP4007ANS-00#Q6的概述

RJP4007ANS-00Q6 芯片概述 RJP4007ANS-00#Q6 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该芯片如同其他 MOSFET 一样,通过控制栅极电压来实现导通或关断,以便进行高效的电能转换,具有开关速度快和功耗低...
配单直通车
RJP4010AGE-00-P5产品参数
型号:RJP4010AGE-00-P5
生命周期:Active
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:SOJ
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.69
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:1.2 V
门极-发射极最大电压:6 V
JESD-30 代码:R-PDSO-C8
元件数量:1
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.6 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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