RN1104MFV,L3F产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：47 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：47 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

标准包装：8,000

其它名称：RN1104MFV (TL3,T) RN1104MFV(TL3,T) RN1104MFV(TL3T)TR RN1104MFV(TL3T)TR-ND RN1104MFV,L3F(B RN1104MFV,L3F(T RN1104MFVL3FTR RN1104MFVTL3T