RN1108(T5L,F,T)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：22 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：47 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：100mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-75，SOT-416

供应商器件封装：SSM

标准包装：3,000

其它名称：RN1108(T5LFT)TR RN1108T5LFT