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  • 深圳市弘为电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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RN2117(T5L,F,T)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1):10 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2):4.7 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:200MHz

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-75,SOT-416

供应商器件封装:SSM

标准包装:3,000

其它名称:RN2117(T5LFT)TR

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