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RQ3E120GNTB产品参数和技术文档

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RQ3E120GNTB产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.17647
$529.40

RQ3E120GNTB产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta),16W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8.8 毫欧 @ 12A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):590pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),16W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-HSMT(3.2x3)

封装/外壳:8-PowerVDFN

标准包装:3,000

其它名称:RQ3E120GNTBTR

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