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RQK0607AQDQS#H1产品参数

品牌:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.4A(Ta) 1.5W(Ta) UPAK

制造商:Renesas Electronics America

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):170pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:UPAK

封装/外壳:TO-243AA

标准包装:1,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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