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RRS070N03TB1产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 8-SOP

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.6nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):-

工作温度:-

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOP

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:RRS070N03TB1TR

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