RTQ020N03TR产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：135pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TSMT6（SC-95）

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

标准包装：3,000

其它名称：RTQ020N03MGTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）