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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RU190N10S的概述

芯片RU190N10S的概述 RU190N10S是一款广泛应用于高效能电力转换和开关电源设计中的功率MOSFET。这种器件是基于新一代的半导体制造工艺,旨在提供出色的导通电阻、快速的开关速度以及优秀的热性能。随着对电力效率和冷却需求的日益增加,RU190N10S凭借其性能优势,越来越受到设计工程师...
配单直通车
RU1A产品参数
型号:RU1A
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:AXIAL DIODE
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.45
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.5 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:15 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.4 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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