RU1C001UNTCL产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 100µA

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7.1pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：UMT3F

封装/外壳：SC-85

标准包装：3,000

其它名称：RU1C001UNTCL-ND RU1C001UNTCLTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）