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S1G-E3/61T产品参数
型号:S1G-E3/61T
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.38
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V
JEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:40 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:1.8 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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