SDD601-S各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商-中国IC网-芯三七

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深圳市中利达电子科技有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
SDD601-S
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深圳市芯福林电子有限公司
SDD601-S
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北京元坤伟业科技有限公司
SDD601-S
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
SDD601-S
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深圳市惊羽科技有限公司
SDD601-S

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▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市创思克科技有限公司
SDD601-S

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厂家SSOUSA
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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产品型号SDD60N08的Datasheet PDF文件预览

SDD36

Diode-Diode Modules

Dimensions in mm (1mm=0.0394")

Type

VRSM

VRRM

SDD36N08

SDD36N12

SDD36N14

SDD36N16

SDD36N18

900

800

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Unit

TVJ=TVJM

IFRMS

IFAVM

TC=100^oC; 180^osine

TVJ=45^oC

VR=0

TVJ=TVJM

VR=0

t=10ms (50Hz), sine

t=8.3ms (60Hz), sine

t=10ms(50Hz), sine

t=8.3ms(60Hz), sine

650

760

580

630

IFSM

TVJ=45^oC

VR=0

TVJ=TVJM

VR=0

t=10ms (50Hz), sine

t=8.3ms (60Hz), sine

t=10ms(50Hz), sine

t=8.3ms(60Hz), sine

2100

2400

1700

1900

i²dt

A²s

-40...+150

150

-40...+125

TVJ

TVJM

Tstg

^oC

50/60Hz, RMS

IISOL<1mA

t=1min

t=1s

3000

3600

VISOL

Mounting torque (M5)

Terminal connection torque (M5)

2.5-4/22-35

Nm/lb.in.

Typical including screws

Weight

SDD36

Diode-Diode Modules

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Unit

TVJ=TVJM; VR=VRRM

IF=80A; TVJ=25^oC

1.38

0.8

6.1

For power-loss calculations only

VTO

TVJ=TVJM

TVJ=125^oC; IF=25A; -di/dt=0.6A/us

IRM

per diode; DC current

per module

1.0

0.5

K/W

RthJC

RthJK

per diode; DC current

per module

1.2

0.6

Creepage distance on surface

Strike distance through air

12.7

9.6

m/s²

Maximum allowable acceleration

FEATURES

APPLICATIONS

ADVANTAGES

* International standard package

* Supplies for DC power equipment

* DC supply for PWM inverter

* Field supply for DC motors

* Battery DC power supplies

* Space and weight savings

* Simple mounting

* Copper

base plate

* Planar passivated chips

* Isolation voltage 3600 V~

* Improved temperature and power

cycling

* Reduced protection circuits

SDD36

Diode-Diode Modules

Fig. 1 Surge overload current

I_FSM: Crest value, t: duration

Fig. 2 i²dt versus time (1-10 ms)

Fig. 2a Maximum forward current

at case temperature

Fig. 3 Power dissipation versus

forward current and ambient

temperature (per diode)

Fig. 4 Single phase rectifier bridge:

Power dissipation versus direct

output current and ambient

temperature

R = resistive load

L = inductive load

2 x SDD36

SDD36

Diode-Diode Modules

Fig. 5 Three phase rectifier bridge:

Power dissipation versus direct

output current and ambient

temperature

3 x SDD36

Fig. 6 Transient thermal impedance

junction to case (per diode)

R_thJCfor various conduction angles d:

R_thJC(K/W)

1.00

1.02

1.04

1.07

1.10

180^oC

120^oC

60^oC

30^oC

Constants for Z_thJCcalculation:

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.01

0.03

0.96

0.0012

0.095

0.455

Fig. 7 Transient thermal impedance

junction toheatsink(per diode)

R_thJKfor various conduction angles d:

R_thJK(K/W)

1.20

1.22

1.24

1.27

1.30

180^oC

120^oC

60^oC

30^oC

Constants for Z_thJKcalculation:

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.01

0.03

0.96

0.2

0.0012

0.095

0.455

0.495

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