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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京人上科技有限公司

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SG2803J-883B产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP

制造商:Microsemi Corporation

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

晶体管类型:8 NPN 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V

功率 - 最大值:-

频率 - 跃迁:-

工作温度:-55°C ~ 125°C(TA)

安装类型:通孔

封装/外壳:-

供应商器件封装:18-CDIP

标准包装:1

其它名称:1259-1084 1259-1084-MIL Q10610783 Q10991540 Q11657753 SG2803J883B

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