SG2803J-883B产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP

制造商：Microsemi Corporation

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

晶体管类型：8 NPN 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：1000 @ 350mA，2V

功率 - 最大值：-

频率 - 跃迁：-

工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）

安装类型：通孔

封装/外壳：-

供应商器件封装：18-CDIP

标准包装：1

其它名称：1259-1084 1259-1084-MIL Q10610783 Q10991540 Q11657753 SG2803J883B