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SI3127DV-T1-GE3产品参数和技术文档

SI-3091N产品图

SI3127DV-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.18538
$556.14

SI3127DV-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.5A(Ta),13A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta),13A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):89 毫欧 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):833pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),4.2W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-TSOP

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:SI3127DV-T1-GE3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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