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  • si1234dy-t1-e3
  • 八零友创集团

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量5500 
  • 厂家VISHAY 
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SI1300BDL-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 400mA(Tc) 190mW(Ta),200mW(Tc) SC-70-3

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):850 毫欧 @ 250mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.84nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):35pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):190mW(Ta),200mW(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SC-70-3

封装/外壳:SC-70,SOT-323

标准包装:3,000

其它名称:SI1300BDL-T1-E3TR SI1300BDLT1E3

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