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  • 八零友创集团

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  • SI4392ADY-T1-GE3
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP-8 
  • 批号16+ 
  • 原装正品,假一罚十
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SI4396DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 3.1W(Ta),5.4W(Tc) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1675pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),5.4W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI4396DY-T1-E3TR SI4396DYT1E3

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