SI4396DY-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：45nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1675pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），5.4W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：2,500

其它名称：SI4396DY-T1-E3TR SI4396DYT1E3