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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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SI4931DY-T1-E3产品参数和技术文档

SI4926DY-T1-E3产品图

SI4931DY-T1-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.54101
$1,352.52

SI4931DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.7A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 8.9A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 350µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):-

功率 - 最大值:1.1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

基本零件编号:SI4931

标准包装:2,500

其它名称:SI4931DY-T1-E3TR SI4931DYT1E3

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