SI4931DY-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 8.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 350µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：52nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-

功率 - 最大值：1.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

基本零件编号：SI4931

标准包装：2,500

其它名称：SI4931DY-T1-E3TR SI4931DYT1E3