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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 数量2500 
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SI7114DN-T1-GE3产品参数和技术文档

SI7114DN-T1-E3-S产品图

SI7114DN-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.74962
$2,248.85

SI7114DN-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 18.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

标准包装:3,000

其它名称:SI7114DN-T1-GE3TR SI7114DNT1GE3

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