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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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配单直通车
SI7114DN-T1-GE3产品参数
型号:SI7114DN-T1-GE3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
包装说明:SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.16
雪崩能效等级(Eas):42 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):11.7 A
最大漏极电流 (ID):11.7 A
最大漏源导通电阻:0.0075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-XDSO-C5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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