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| 型号: | SI8221DC-D-IS |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.64 |
| 内置保护： | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK |
| 标称输出峰值电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 最大供电电压： | 24 V |
| 最小供电电压： | 6.5 V |
| 标称供电电压： | 12 V |
| 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 断开时间： | 0.04 µs |
| 接通时间： | 0.06 µs |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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