SIA106DJ-T1-GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta），12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET® Gen IV

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta），12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.5 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：540pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® SC-70-6 单

封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6

标准包装：3,000

其它名称：SIA106DJ-T1-GE3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）