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SIHFR1N60A-GE3产品参数和技术文档

SIHFB9N60A产品图

SIHFR1N60A-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
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1.16000
$1.16
10
1.02500
$10.25
100
0.80970
$80.97
500
0.62796
$313.98
1,000
0.49577
$495.77

SIHFR1N60A-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 36W(Tc) TO-252AA

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 欧姆 @ 840mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):229pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):36W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:3,000

其它名称:SIHFR1N60A-GE3TR SIHFR1N60A-GE3TR-ND

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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