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  • 贸泽电子元器件(深圳)有限公司

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SIS698DN-T1-GE3产品参数和技术文档

SIS-6801-A1-AX产品图

SIS698DN-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.33350
$1,000.50

SIS698DN-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.9A(Tc) 19.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):195 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):210pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):19.8W (Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

标准包装:3,000

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