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产品型号SK50DB100D的概述

芯片SK50DB100D的概述 SK50DB100D是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、逆变器和其他各类电子设备中。其主要功能是通过控制电流的流动来实现信号的开关和放大。这款芯片的设计旨在提供高效率、低电阻和快速开关特性,使其成为许多高频应用的理想选择。 SK50DB100D的工作...
配单直通车
SK50DB100D产品参数
型号:SK50DB100D
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):50 A
配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):3000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:800 W
最大功率耗散 (Abs):400 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18000 ns
最大开启时间(吨):2500 ns
VCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1
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