芯片SMBJ70A的概述
SMBJ70A是一种高度稳定的瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor, TVS),广泛用于电子设备中,以保护敏感电路免受电压浪涌和快速过电压的影响。作为一个重要的保护元件,SMBJ70A可防止设备在电压瞬变时受到损害,从而延长其使用寿命和提高可靠性。该器件主要应用于通信、计算机和家电等领域,尤其是在需要迅速反应和保护措施的情况下表现优越。
芯片SMBJ70A的详细参数
SMBJ70A的电气参数包括击穿电压、峰值脉冲电流、功率耗散和工作温度范围等。这些参数使得SMBJ70A适合各种应用场合。其主要参数如下:
- 击穿电压 (V_BR): 约为70V(在特定测试条件下)。 - 最大反向碱流 (I_R): 在击穿电压下,最大反向电流为50µA。 - 最大脉冲功率 (P_PP): 可承受的脉冲功率为600W,持续时间通常为10/1000μs。 - 反向工作电压 (V_RWM): 最大反向工作电压为70V。 - 参数温度范围 (T_A): 工作温度范围为-55至+150摄氏度。
这些参数代表了SMBJ70A的可靠性与性能,说明其能在极端环境下正常工作,同时能有效地保护下游电路。
芯片SMBJ70A的厂家、包装与封装
SMBJ70A的生产厂家包括多家知名的半导体制造公司,通常以SMB(DO-214AA封装)形式出现。该封装形式相对较小且便于安装,兼具良好的散热能力和电产品能。
在市场上,SMBJ70A常见的包装方式包括以下几种:
- 管装: 适合大批量组装与自动化设备的使用。 - 卷带包装: 适合表面贴装(SMT)的应用,可以通过贴片机进行高效生产。
不同的厂家可能在制造过程中采用不同的材料、工艺与测试程序,因此,用户在选择产品时需要查看相关的技术数据手册,确保产品符合项目的需求。
芯片SMBJ70A的引脚和电路图说明
SMBJ70A的引脚配置相对简单,通常为两个引脚,分别标识为阳极(A)和阴极(K)。引脚的连接需要遵循特定的电路原理图,以确保产品的正常工作。
在实际的电路设计中,SMBJ70A一般连接至电源与负载之间,具体电路图如下:
+---------- | | +---+ +---+ | | | | | | | | +-+ SMBJ70A +-+ | | +-----+ | | |-+ | | |-+ | | | | | | +-+ +-+ +-+ | | | GND Load Vcc
在这种配置中,当电源电压过高的时候,SMBJ70A会迅速导通,将多余的电压释放到地,保护下游的负载设备。用户需要根据实际应用情况合理选择用于适配的电气参数。
芯片SMBJ70A的使用案例
在实际应用中,SMBJ70A可以用于多种场合。例如,在一个家庭自动化系统中,可能会涉及到多个传感器和控制器,它们都需要稳定的电源供应,以及避免电压尖峰引发的损坏。因此,在这些敏感的电路中,可以将SMBJ70A集成于电源与主控制器之间。
案例一:计算机外围设备的保护
在某些情况下,计算机的USB端口可能会接入不同的外部设备。这些设备可能由于电源波动或连接不良而产生瞬时过电压。将SMBJ70A放置于USB供电线路上,可以有效防止过电压对计算机主板或外设造成的损害。在计算机主板的电源管理电路中,SMBJ70A有助于提高系统的稳定性,防止异常状况的发生。
案例二:通信线路的电源保护
在通信系统中,信号传输常常需要经历复杂的传输线,并且在此过程中可能会受到电干扰。当在通信设备的供电线路上加装SMBJ70A,有效防止电源造成的电流尖峰,将其引导至地面,从而保护通信线路中的调制解调器和其他敏感器件,确保稳定通信。
案例三:家用电器中的应用
在家电产品中,例如电视机、音响系统等,由于电源的波动,可能导致存储芯片、主控芯片受到损坏。通过在电器的电源线中集成SMBJ70A,能够有效保护这些关键组件免受电压浪涌的影响,延长使用寿命,并降低故障率。
SMBJ70A作为一种高效的电压保护元件,在现代电子产品中扮演着极为重要的角色。
在选择和应用时,除了考虑电气参数外,还需要关注安装环境以及所用材料的兼容性,确保在实际工作中能发挥最佳性能。通过合理的设计与应用,SMBJ70A能够显著提升电路的抗干扰性能和稳定性,是电子设备设计中不可或缺的一部分。
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型号: | SMBJ70A |
是否无铅: | 含铅 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | MICROSEMI CORP |
零件包装代码: | DO-214AA |
包装说明: | R-PDSO-C2 |
针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.08 |
Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 86 V |
最小击穿电压: | 77.8 V |
击穿电压标称值: | 81.9 V |
最大钳位电压: | 113 V |
配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.38 W |
认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 70 V |
子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
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