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SQ4064EY-T1_GE3产品参数和技术文档

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SQ4064EY-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.44436
$1,110.90

SQ4064EY-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19.8 毫欧 @ 6.1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):43nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2096pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):6.8W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SOIC

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

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