SQ7415AEN-T1_GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8

详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK® 1212-8

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：Digi-Reel®

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 5.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1385pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：53W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

标准包装：1

其它名称：SQ7415AEN-T1-GE3DKR SQ7415AEN-T1-GE3DKR-ND SQ7415AEN-T1_GE3DKR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）