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SQR70090ELR_GE3产品参数和技术文档

SQR70090ELR_GE3产品图

SQR70090ELR_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.69000
$1.69
10
1.49700
$14.97
100
1.18340
$118.34
500
0.91770
$458.85
1,000
0.72450
$724.50

SQR70090ELR_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 86A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):86A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):136W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D-PAK(TO-252)

封装/外壳:TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)

标准包装:2,000

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