SSM3K339R,LF产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：U-MOSVII-H

包装：Digi-Reel®

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：185 毫欧 @ 1A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.1nC @ 4.2V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：130pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23F

封装/外壳：SOT-23-3 扁平引线

标准包装：1

其它名称：SSM3K339RLFDKR