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产品型号SSM3K339R的概述

芯片SSM3K339R的概述 SSM3K339R是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)公司开发的高性能N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),适用于各种中高频应用。MOSFET因其在开关和放大电路...
配单直通车
SSM3K339R产品参数
型号:SSM3K339R
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.74
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.208 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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