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SSM5H12TU(TE85L,F)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.9A(Ta) 500mW(Ta) UFV

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSIII

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):133 毫欧 @ 1A,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.9nC @ 4V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):123pF @ 15V

FET 功能:肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:UFV

封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线

标准包装:3,000

其它名称:SSM5H12TU(TE85LF)TR SSM5H12TUTE85LF

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