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STL4LN80K5产品参数和技术文档

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STL4LN80K5产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.59087
$1,772.61

STL4LN80K5产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat™(5x6)VHV

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ K5

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 1.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):4nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):110pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):38W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)VHV

封装/外壳:8-PowerVDFN

标准包装:3,000

其它名称:497-17146-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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