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STN1NF10产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™ II

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):800 毫欧 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):105pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-223

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

标准包装:4,000

其它名称:497-14747-2 STN1NF10-ND

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