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STP105N3LL产品参数和技术文档

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价格分段
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总价格(USD)
1
1.97000
$1.97
10
1.74700
$17.47
100
1.38060
$138.06
500
1.07066
$535.33
1,000
0.84525
$845.25

STP105N3LL产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:DeepGATE™,STripFET™ VI

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 40A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):140W(Tc)

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-13587-5

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