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  • 深圳市金煌鑫科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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STP5N52K3产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH3™

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):525V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):450pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):70W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-10652-5

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