芯片外部开关噪声
日期：2012-4-6分析芯片外部开关噪声的情况，它和芯片内部开关噪声最显著的区别在于计算开关噪声时需要考虑信弓线的电感，而且对于不同的开关状态其电流回路也不同，1到O跳变时，回流不经过封装的电源管脚，O到1跳变时，回流不经过封装的地管脚。
这时，芯片的地并不是和理想的系统地保持同样的零电位，而是存在Vgb的电压波动，这种情况称为地反弹（也称地跳），同样对于O到1开关状态，封装电感会给电源造成一定的压降，称为电源反弹。当然，地弹现象是芯片内部和芯片外部同步开关输出的综合影响。但需要注意的是，地弹噪声只根源于封装寄生电感，和系统的电源及地的电感无关，这也是SSN和地反弹在概念上不等同的根本原因。减轻芯片外部开关噪声的方法有以下几种：
1)降低芯片内部驱动器的开关速率和同时开关的数目。 2)降低封装回路电感，增加信号和电源与地的耦合电感。 3)在封装内部使用旁路电容，这样能让电源和地共同分担电流回路，可以减小等效电感。但系统电源使用旁路电容将不会影响地弹噪声的大小。