混合集成电路

混合集成电路是用薄膜或厚膜工艺在绝缘基片（陶瓷、石英或其他介质）上制作无源元件和互连线构成无源网络，然后焊上分立的半导体器件或集成电路或其他片式元件构成的集成电路。在混合集成电路中，电阻、电容采用高精度和温度性能良好的薄、厚膜工艺制成，有源器件采用经过电学测试并与电路匹配良好的芯片，从而使整个电路达刭良好的状态。混合集成电路多用于制作高电压、大电流、大功率集成电路，微波混合集成电路及其子系统。

大部分混合集成电路是属于单片集成电路技术尚无法实现或批量需求不大的产品。它在多层基片结构（多层混合集成电路）方面发展很快，结构灵活，在实现较复杂的子系统上有独特的优点，目前已从表面安装技术(SMT)发展到多芯片组件(MCM)，被称为二次集成，是整机小型化和高密度组装的重要技术。

混合集成电路根据膜的特性可分为薄膜集成电路和厚膜混合集成电路。

(1)厚膜集成电路如上所述，采用厚膜工艺制成的混合集成电路称为厚膜集成电路。厚膜工艺可以制作厚膜电阻、厚膜电容和厚膜绝缘层。它是采用CY7C277-30WC.html" target="_blank" title="CY7C277-30WC">CY7C277-30WC丝网印刷和烧结等工艺，在玻璃或陶瓷基片上制作电阻、电容、无源网络，并在同一基片上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或其他微型元件，然后进行封装，组成混合集成电路。厚膜集成电路的特点是工艺简单、成本低廉，而且设计灵活，特别适合于多品种、小批量产品。在电性能上，它能承受较高电压、较大电流和功率。因此厚膜集成电路得到了广泛的应用。

(2)薄膜混合集成电路采用薄膜工艺制成的混合集成电路称为薄膜混合集成电路。通常厚度小于1rt,m的膜称为薄膜。它是采用真空蒸发或溅射技术在硅片、玻璃或陶瓷基片上制作薄膜电阻和薄膜电容，然后用铝膜金属化带线把它们与装在基片上的分立半导体器件或半导体集成电路芯片连二ji接起来，最后进行封装。薄膜元件的优点是电阻、电容的数值范围大、精度高。缺点是工艺比较复杂，生产成本较高。因此仅用于要求较高的整机上。

由于混合集成电路以单片集成电路为基础，可以利用较低集成度的芯片，实现高集成的功能，而且采用混合集成技术把难以用单片集成完成的功能集成在一起．把小信号芯片和大功率芯片、数字电路和模拟电路等集成在一起。所以混合集成电路自20世纪60年代问世以来，在军事、通信、计算机、汽车、自动化、工业电子、医疗及消费电子等领域得到广泛的应用。近几年来，随着半导体技术迅速向大规模、超大规模方向发展，表面组装技术应用也越来越广泛，表面组装元器件(SMC)的品种日益增多并向微型化（最小尺寸已达0.Smm×0.Smm,1．Omm×0.SmmSMC已大量生产）和复合化（RC组合等）发展。混合集成电路技术及相关材料技术有了新的发展（如多层布线与互连技术、多层陶瓷、薄膜基板技术等），这样就把传统的混合集成电路提高到一个新的发展阶段，即高级混合集成电路阶段(AHIC)。高级混合集成电路的发展，使混合集成技术与半导体集成技术结合更为紧密，成为微电子技术中极重要的组成部分，而多芯片组装(MCM)即为利用高级混合集成技术的代表产品。