陶瓷基板

电子工业伴随半导体产业的发展不断前进。超大规模集成电路／甚大规模集成电路(VLSI/ULSI)半导体器件出现后，应用传统的封装方式，已无法充分发挥其固有性能优势。

因此，出现了许多新的封装技术，也推动了陶瓷基板制造技术的发展。

经过半个世纪的不断完善，氧化铝(Al2O3)陶瓷基板制造技术已相当成熟。通过在氧化铝陶瓷基片上逐次印烧导体、介质和／或电阻图形而成的陶瓷基板，是厚膜混合集成电路的重要组成部分。其产品在商业中和军事装备中已得到广泛应用。

高温共烧氧化铝(HTCC)多层陶瓷基板，其介质材料CY7C028A-20AC.html" target="_blank" title="CY7C028A-20AC">CY7C028A-20AC氧化铝含量大于85%，导体材料使用钨(W)和钼(Mo)金属，在1600℃下共烧。陶瓷基板制造工艺流程。它具有优良的热性能、低成本和很好的长期可靠性，是多芯片组件(MCM)封装基板的一种。

低温共烧玻璃陶瓷(LTCC)多层基板于20世纪80年代末问世，这种基板是以适当的比例，使玻璃粉与陶瓷粉混合，在较低的温度(850～950lC)下烧结，形成玻璃陶瓷。而且，在这样的温度下，容许与厚膜铜、银、金导体共烧。所形成的基板具有良好的导电性、低的介电常数、与硅接近匹配的热膨服系数(CTE)，在高频、微波、大容量高速信号处理电路中应用前景广阔。其制造工艺与HTCC制造工艺基本相同。

高温共烧氮化铝(AIN)陶瓷基板的最大优势在于其良好的导热性能，典型的导热率为150～200W/(m．k)，达到可与许多金属和其他高导热率材料如氧化铍(Be0)或碳化硅(SiC)相比的水平。氮化铝(AIN)的热膨胀系数为4.4×10-6／℃，它和氧化铝、塑料相比，与硅有较好的热膨胀匹配性。为了获得合格的基板，需要对AIN粉的纯度和烧结过程进行严格控制。

多层陶瓷基板制造技术的发展，为高可靠小型化电子系统封装提供了有利条件。