ZVN4525Z N-CHANNEL增强型MOSFET

产品摘要
V（BR）DSS RDS（ON）ID
TA = + 25°C
250V8.5Ω@ VGS = 10V 240mA
描述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通状态
电阻（RDS（ON））并保持卓越的开关性能，
使其成为高效电源管理应用的理想选择。
应用
电源管理功能
电池供电系统和固态继电器
驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，
存储器，晶体管等
特征
低门限电压
低输入电容
快速切换速度
无铅表面处理;符合RoHS标准（注1和2）
卤素和无锑。 “绿色”装置（注3）
机械数据
案例：SOT89
表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。
UL可燃性分类等级94V-0
湿度敏感度：J-STD-020的1级
端子：表面处理 - 哑光锡表面退火铜导线
帧。可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接
重量：0.052克（近似值）

零件号合规情况每个卷轴的数量
ZVN4525ZTA标准SOT89 1,000
注：1。符合欧盟指令2002/95 / EC（RoHS）和2011/65 / EU（RoHS 2）。 适用所有适用的RoHS豁免。
3.不含卤素和锑的“绿色”产品定义为含有<900ppm溴，<900ppm氯（<1500ppm总Br + Cl）和<1000ppm锑化合物的产品

最大额定值（@TA = + 25°C，除非另有说明。）
特征符号值单位
漏源电压VDSS 250 V.
栅源电压VGSS±40 V.
连续漏极电流，VGS = 10V稳态
TA = + 25°C（注5）
TA = + 70°C（注5）ID 240 192 mA
最大体二极管正向电流IS 1.1 A.
脉冲漏极电流（注7）IDM 1.44 A.
脉冲源电流（注7）ISM 1.44 A.
热特性
特征符号值单位
总功耗
线性降额系数TA = + 25°C（注5）PD 1.2 9.6 W mW /°C
热阻，结到环境稳态（注5）RθJA
103°C / W.
稳态（注6）50°C / W.
工作和存储温度范围TJ，TSTG -55至+ 150°C

封装外形尺寸

封装外形尺寸