BTS650P是一种智能高边大电流电源开关

BTS650P特征

过载保护

当前限制

短路保护

过温保护

过压保护（包括负载突降）

在输出端钳位负电压，感应负载快速断电1），低欧姆反向电流操作反向电池保护。具有负载电流感应的诊断反馈通过电流检测进行开路负载检测Vbb保护丢失2），静电放电（ESD）保护。

BTS650P应用

带电流检测诊断的电源开关。反馈12V和24V直流接地负载，最适合具有高浪涌电流的负载像灯具和电机;所有类型的电阻和感应负载取代机电继电器，保险丝和。分立电路

BTS650P一般说明

N通道垂直功率FET，带电荷泵，电流控制输入和负载诊断反馈电流感，集成在SmartSAPMOS?片上芯片技术中。完全受嵌入式保护保护功能。

除非另有说明，否则Tj = 25°C时的最大额定值

不短路所有输出将大大增加导通电阻，降低峰值电流

能力并降低电流检测精度4）否则，如果使用引脚而不是RON，则向RON添加最多0.7mΩ（取决于引脚的使用长度）

标签。 5）RI=负载突降测试脉冲发生器的内部电阻。6）根据ISO 7637-1和DIN 40839，在没有将DUT连接到发电机的情况下设置VLoad转储。

不包括热阻RthCH外壳到散热器（约0.5 ... 0.9 K / W硅胶膏）！ 8）装置在50mm * 50mm * 1.5mm环氧PCB FR4上，6cm2（一层，70μm厚）铜面积为Vbb连接。 PCB是垂直的，没有吹出的空气。 9）将Vbb降低到10V以下会导致RON动态增加到RON（静态）的较高值。 如只要VbIN> VbIN（u）max，TJ <85°C时RON增加小于10％/秒。 10）未经测试，由设计指定。 在这些条件下TJ约为105℃。

如果器件在Vbb降低之前导通，则工作电压范围将扩展至VbIN（u）。

对于0 ... 34 V的所有电压，器件可完全防止过热和短路。 14）VbIN = Vbb - V。当VbIN从小于VbIN（u）增加到VbIN（ucp）= 5V时（典型值）电荷泵无效，VOUT≈Vbb - 3V。 15）。

通过在IS-Pin上使用额外的二极管可以“关闭”该输出钳位（参见第8页）。 如果是二极管

如果使用，VOUT在感性负载关闭时钳位到Vbb-VON（CL）。 17）通过本征漏极 - 源极二极管的反向负载电流必须受连接负载的限制（因为它完成了所有极性对称负载）。 注意在关闭条件下（IIN = IIS = 0）的功率晶体管未激活。 由于两端的电压降较高，导致功耗增加

内部漏源二极管。 反向电流操作期间温度保护无效！可以简单地提高反向电池电压能力。

如果VON较高，则感测电流不再与感测电流引起的负载电流成比例饱和度，见IIS，lim。 19）未经测试，由设计指定。 20）我们建议IN和GND之间的电阻小于0.5kΩ，用于导通和大于关断500kΩ。 考虑当器件关断（IIN = 0）时IN和GND之间的电压几乎达到了Vbb。

可以轻松连接两个或更多设备并联以增加负载电流能力。

SMD版本的典型RON约为0.2mΩ由于l≈2mm，比直引线输入电路（ESD保护）

当器件关闭（IIN = 0）时电压IN和GND之间几乎达到Vbb。 用一个机械开关，双极或MOS晶体管

适当的击穿电压作为驱动器VZ，IN = 66V（典型值）。

当器件关闭（IIN = 0）时电压IN和GND之间几乎达到Vbb。 用一个机械开关，双极或MOS晶体管

适当的击穿电压作为驱动器VZ，IN = 66V（典型值）。

短路检测

故障条件：VON> VON（SC）（典型值6V）和t> td（SC）（80 ...350μs）。

电流检测状态输出

VZ，IS = 66V（典型值），RIS =1kΩ标称值（或1kΩ/ n，如果n设备并联连接）。 IS = IL / kilis可以只要Vout-VIS>，只能由内部电路驱动5 V.如果您希望测量负载电流高达IL（M），RIS应小于Vbb - 5 V.IL（M）/ Kilis。

注意：对于大的RIS值，电压VIS可以几乎达到了Vbb。 另请参见过压保护。如果您不使用当前的感应输出应用程序，你可以保持开放。电感和过压输出钳位。

VON钳位到VON（Cl）= 42V（典型值）。 在感性负载下在没有DS的情况下关断，VOUT被钳位到VOUT（CL）=-19V typ。 通过VZG。 使用DS，VOUT被钳位到Vbb - VON（CL）通过VZ1。 使用DS可以更快地断电感性负载，但更高的峰值功耗PROFET。