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  • 八零友创集团

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  • 深圳市骏创达科技有限公司

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  • 厂家TOSHIBA 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市徕派德电子有限公司

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  • 厂家Toshiba Semiconductor and Storage 
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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市新力诚科技有限公司

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  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳市宏利源电子有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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TK100E08N1,S1X产品参数和技术文档

TK100E08N1产品图

TK100E08N1,S1X产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
6.44000
$6.44
50
5.17500
$258.75
100
4.71500
$471.50
500
3.81800
$1,909.00
1,000
3.22000
$3,220.00

TK100E08N1,S1X产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSVIII-H

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):130nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 40V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):255W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1S1X

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