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  • 深圳市兴科泰科技有限公司

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  • 深圳市胜彬电子有限公司

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  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 数量32365 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳同贺科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市金启宁科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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TK11A60D(STA4,Q,M)产品参数和技术文档

TK11A60D产品图

TK11A60D(STA4,Q,M)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
50
2.47820
$123.91

TK11A60D(STA4,Q,M)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:π-MOSVII

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):650 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):28nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:50

其它名称:TK11A60D(STA4QM) TK11A60DSTA4QM

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