TK11A60D(STA4,Q,M)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：π-MOSVII

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1550pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220SIS

封装/外壳：TO-220-3 整包

标准包装：50

其它名称：TK11A60D(STA4QM) TK11A60DSTA4QM