TN0201K-T1-E3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 420mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

制造商：Vishay Siliconix

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：420mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 300mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：TN0201K-T1-E3TR TN0201KT1E3