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    • TPC8027-H图

    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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    • 北京首天国际有限公司

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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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    • 深圳市双微电子科技有限公司

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    • 深圳市科庆电子有限公司

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    • 上海磐岳电子有限公司

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    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • 深圳现货库存，保证原装正品
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    产品型号TPC8028的Datasheet PDF文件预览

    TPC8028  
    東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅣ)  
    TPC8028  
    ○リチウムイオン２次電池用  
    単位: mm  
    ○ノートブックPC 用  
    ○携帯電子機器用  
    • 小型、薄型で実装面積が小さい。  
    • オン抵抗が低い。: R  
    = 3.5mΩ (標準)  
    DS (ON)  
    • 順方向伝達アドミタンスが高い。  
    : |Y | = 40 S (標準)  
    fs  
    • 漏れ電流が低い。: I  
    = 10 µA (最大) (V  
    = 30 V)  
    DSS  
    DS  
    • 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。  
    : V = 1.3 ~ 2.5 V (V = 10 V, I = 1 mA)  
    th  
    DS  
    D
    絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
    項
    目
    記 号  
    定
    格
    単位  
    V
    ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 電 圧  
    ド レ イ ン ･ ゲ ー ト 間 電 圧  
    V
    30  
    30  
    DSS  
    JEDEC  
    JEITA  
    ―
    ―
    V
    V
    DGR  
    (R  
    GS  
    = 20 kΩ)  
    ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 圧  
    (注1)  
    パルス (注1)  
    V
    ±20  
    18  
    V
    GSS  
    東 芝  
    2-6J1B  
    D
    C
    I
    D
    ド レ イ ン 電 流  
    A
    質量: 0.080 g (標準)  
    I
    72  
    DP  
    許
    許
    容
    容
    損
    損
    失 (t = 10 s) (注2a)  
    失 (t = 10 s) (注2b)  
    P
    1.9  
    1.0  
    W
    W
    D
    D
    回路構成  
    P
    8
    7
    6
    5
    アバランシェエネルギー ( 単 発 )  
    (注3)  
    E
    84  
    18  
    mJ  
    A
    AS  
    AR  
    ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
    アバランシェエネルギー ( 連 続 )  
    (注2a) (注4)  
    I
    E
    0.066  
    mJ  
    AR  
    チ
    保
    ャ
    ネ
    ル
    温
    度
    度
    T
    150  
    °C  
    °C  
    ch  
    1
    2
    3
    4
    存
    温
    T
    stg  
    −55~150  
    注: (注1)、(注2)、(注3)、(注4) は次項を参照ください。  
    本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電  
    圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
    弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別  
    信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。  
    この製品はMOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。  
    1
    2009-09-29  
    TPC8028  
    熱抵抗特性  
    項
    目
    記 号  
    最大  
    単位  
    チャネル･外気間熱抵抗 (t = 10 s) (注 2a)  
    チャネル･外気間熱抵抗 (t = 10 s) (注 2b)  
    R
    65.8  
    125  
    °C/W  
    °C/W  
    th (ch-a)  
    R
    th (ch-a)  
    現品表示 (注5)  
    TPC8028  
    製品名 (または略号)  
    ロットNo.  
    注6  
    注1: チャネル温度が150°C を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
    注2: (a) ガラスエポキシ基板 (a) (b) ガラスエポキシ基板 (b)  
    FR-4  
    FR-4  
    25.4 × 25.4 × 0.8  
    (単位: mm)  
    25.4 × 25.4 × 0.8  
    (単位: mm)  
    (a)  
    (b)  
    注3: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
    = 24 V、T = 25°C (初期)、L = 0.2 mH、I = 18 A  
    AR  
    V
    DD  
    ch  
    注4: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
    注5: 正面から見てマーク左下のドット (●) が1 番端子を示しています。  
    ※ 週別ロット表示  
    3桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾1桁、および残りの2桁は製造週とする。  
    製造週コード (その年の第一週を01とし、以降52または53まで)  
    製造年コード (西暦の下1桁)  
    注6: ロットNo.の下線は、製品ラベルに記載される表示を識別するものです。  
    下線なし: [[Pb]]/INCLUDES > MCV  
    下線あり: [[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]  
    本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。RoHS 指令と  
    は、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限 (RoHS) に関する2003 年1 月27 日付けの欧州議会および  
    欧州理事会の指令 (EU 指令 2002/95/EC)」のことです。  
    2
    2009-09-29  
    TPC8028  
    電気的特性 (Ta = 25°C)  
    項
    目
    記 号  
    測 定 条 件  
    最小  
    標準  
    最大  
    単位  
    ゲ
    ー
    ト
    漏
    れ
    電
    流
    I
    V
    V
    = ±20 V、V = 0 V  
    DS  
    ⎯
    ⎯
    30  
    10  
    1.3  
    ⎯
    ⎯
    20  
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ±100  
    10  
    nA  
    GSS  
    GS  
    ド レ イ ン し ゃ 断 電 流  
    ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧  
    ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
    ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗  
    順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス  
    I
    = 30 V、V  
    = 0 V  
    μA  
    DSS  
    DS  
    GS  
    GS  
    GS  
    V
    V
    I
    D
    I
    D
    = 10 mA、V  
    = 10 mA、V  
    = 0 V  
    ⎯
    ⎯
    (BR) DSS  
    (BR) DSX  
    V
    V
    = −20 V  
    ⎯
    ⎯
    V
    th  
    V
    DS  
    V
    GS  
    V
    GS  
    V
    DS  
    = 10 V、I = 1 mA  
    ⎯
    2.5  
    8.0  
    4.3  
    ⎯
    D
    = 4.5 V、I = 9 A  
    5.6  
    3.5  
    40  
    D
    R
    mΩ  
    S
    DS (ON)  
    = 10 V、I = 9 A  
    D
    |Y |  
    = 10 V、I = 9 A  
    D
    fs  
    入
    帰
    出
    力
    還
    力
    容
    容
    容
    量
    量
    量
    C
    C
    1800  
    370  
    570  
    ⎯
    iss  
    V
    DS  
    = 10 V、V  
    = 0 V、f = 1 MHz  
    pF  
    ⎯
    GS  
    rss  
    C
    ⎯
    oss  
    上
    昇
    時
    間
    t
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    14  
    26  
    19  
    54  
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    r
    I
    = 9 A  
    D
    10 V  
    V
    GS  
    出力  
    0 V  
    タ ー ン オ ン 時 間  
    t
    on  
    スイッチング時間  
    ns  
    下
    降
    時
    間
    t
    f
    ∼
    V
    15 V  
    −
    DD  
    タ ー ン オ フ 時 間  
    t
    off  
    <
    Duty 1%、t = 10 μs  
    =
    w
    ゲ
    ー
    ト
    入
    力
    電
    荷
    量
    Q
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    45  
    8
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    g
    ∼
    −
    V
    DD  
    24 V、V  
    = 10 V、I = 18 A  
    nC  
    ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 荷 量  
    1
    Q
    gs1  
    GS  
    D
    ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 電 荷 量  
    Q
    gd  
    15  
    ソース･ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25°C)  
    項
    目
    記 号  
    測 定 条 件  
    最小  
    標準  
    最大  
    単位  
    ド レ イ ン 逆 電 流 パ ル ス(注1)  
    I
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    72  
    A
    V
    DRP  
    順 方 向 電 圧 （ ダ イ オ ー ド ）  
    V
    I
    = 18 A、V  
    = 0 V  
    −1.2  
    DSF  
    DR GS  
    3
    2009-09-29  
    TPC8028  
    8,10  
    20  
    I
    – V  
    I – V  
    D DS  
    D
    DS  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    10  
    6
    4
    3.6  
    3.8  
    3.8  
    ソース接地  
    3.4  
    ソース接地  
    4.5  
    4
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    16  
    12  
    8
    4.5  
    6
    8
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    3.6  
    3.3  
    3.4  
    3.3  
    3.2  
    3.1  
    3.2  
    3.1  
    4
    V
    = 3 V  
    GS  
    V
    = 3 V  
    GS  
    0
    0
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2
    0
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2
    ドレイン･ソース間電圧  
    V
    DS  
    (V)  
    ドレイン･ソース間電圧  
    V
    DS  
    (V)  
    I
    D
    – V  
    V – V  
    DS GS  
    GS  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0.20  
    0.16  
    0.12  
    0.08  
    0.04  
    0
    ソース接地  
    = 10 V  
    パルス測定  
    ソース接地  
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    V
    DS  
    I
    = 18 A  
    D
    100  
    Ta = −55°C  
    9
    25  
    4.5  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    ゲート･ソース間電圧  
    V
    GS  
    (V)  
    ゲート･ソース間電圧  
    V
    GS  
    (V)  
    |Y | – I  
    fs  
    R
    – I  
    D
    D
    DS (ON)  
    1000  
    100  
    ソース接地  
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    100  
    10  
    1
    Ta = −55°C  
    25  
    100  
    10  
    4.5  
    V
    = 10 V  
    GS  
    ソース接地  
    = 10 V  
    V
    DS  
    パルス測定  
    0.1  
    0.1  
    1
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1
    10  
    100  
    ドレイン電流  
    I
    D
    (A)  
    ドレイン電流  
    I
    D
    (A)  
    4
    2009-09-29  
    TPC8028  
    R
    – Ta  
    I
    – V  
    DS  
    DS (ON)  
    DR  
    10  
    8
    1000  
    100  
    ソース接地  
    ソース接地  
    パルス測定  
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    I
    = 4.5,9,18 A  
    D
    4.5  
    10  
    3
    6
    4
    V
    = 4.5 V  
    GS  
    10  
    1
    1
    I
    = 4.5,9,18 A  
    D
    V
    = 0 V  
    GS  
    V
    = 10 V  
    GS  
    2
    0
    −80  
    0.1  
    0
    −40  
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    −0.2  
    −0.4  
    −0.6  
    −0.8  
    −1.0  
    周囲温度 Ta (°C)  
    ドレイン･ソース間電圧  
    V
    DS  
    (V)  
    静電容量 – V  
    DS  
    V
    th  
    – Ta  
    10000  
    1000  
    100  
    3
    2.5  
    2
    C
    iss  
    1.5  
    1
    C
    oss  
    C
    rss  
    ソース接地  
    ソース接地  
    = 0 V  
    f = 1 MHz  
    Ta = 25°C  
    0.5  
    0
    V
    = 10 V  
    DS  
    = 1 mA  
    パルス測定  
    V
    GS  
    I
    D
    0.1  
    1
    10  
    100  
    −80  
    −40  
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    ドレイン･ソース間電圧  
    V
    DS  
    (V)  
    周囲温度 Ta (°C)  
    10  
    160  
    P
    D
    – Ta  
    ダイナミック入出力特性  
    2
    50  
    40  
    30  
    20  
    ソース接地  
    = 18 A  
    Ta = 25°C  
    パルス測定  
    (1)ガラスエポキシ基板 (a) 実装 (注2a)  
    (2)ガラスエポキシ基板 (b) 実装 (注2b)  
    t = 10 s  
    I
    D
    (1)  
    1.6  
    16  
    12  
    8
    1.2  
    0.8  
    V
    V
    = 6V  
    DD  
    DS  
    12  
    (2)  
    2.4  
    20  
    10  
    0
    V
    GS  
    0.4  
    0
    4
    0
    0
    40  
    80  
    120  
    160  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    70  
    周囲温度 Ta (°C)  
    ゲート入力電荷量  
    Q
    g
    (nC)  
    5
    2009-09-29  
    TPC8028  
    r
    th  
    − t  
    w
    1000  
    100  
    10  
    (1) ガラスエポキシ基板 (a) 実装 (注2a)  
    (2) ガラスエポキシ基板 (b) 実装 (注2b)  
    (2)  
    (1)  
    1
    単発パルス  
    0.1  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    パルス幅  
    t
    w
    (s)  
    安全動作領域  
    100  
    I
    max (パルス) *  
    D
    1 ms *  
    10  
    t = 10 ms *  
    1
    * 単発パルス Ta = 25°C  
    安全動作領域は温度によっ  
    てディレーティングして考  
    える必要があります。  
    V
    max  
    DSS  
    10  
    0.1  
    0.1  
    1
    100  
    ドレイン･ソース間電圧  
    V
    DS  
    (V)  
    6
    2009-09-29  
    TPC8028  
    製品取り扱い上のお願い  
    • 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情  
    報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。  
    • 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を  
    得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。  
    • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。  
    本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう  
    に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ  
    とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報（本資料、仕様書、デー  
    タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の  
    取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー  
    タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する  
    場合は、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。  
    当社は、適用可否に対する責任は負いません。  
    • 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家  
    電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、  
    特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な  
    財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい  
    う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、  
    航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各  
    種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている  
    場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。  
    • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。  
    • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用すること  
    はできません。  
    • 本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して  
    当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。  
    • 別途書面による契約がない限り、当社は、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切の  
    保証（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的への合致の保証、情報の正確性の保証、第三者の権利の  
    非侵害保証を含むがこれに限らない。）をせず、また当社は、本製品および技術情報に関する一切の損害（間  
    接損害、結果的損害、特別損害、付随的損害、逸失利益、機会損失、休業損、データ喪失等を含むがこれ  
    に限らない。）につき一切の責任を負いません。  
    • 本製品、または本資料に掲載されている技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用の目的、あ  
    るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、  
    「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ  
    てください。  
    • 本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本  
    製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分  
    調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ  
    た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。  
    7
    2009-09-29  
    配单直通车
    TPC8028产品参数
    型号:TPC8028
    生命周期：End Of Life
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
    针数：8
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.73
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
    最大漏极电流 (ID)：18 A
    最大漏源导通电阻：0.008 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-G8
    元件数量：1
    端子数量：8
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：1.9 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
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    • 型号 *
    • 数量*
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    • 封装
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